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GT8N101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
el GT8N101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 8A, d´application: uso en aplicaciones de energía
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
información avanzada para GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-3P
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BUP302
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

GT8N101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
el GT8N101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 8A, d´application: uso en aplicaciones de energía
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
información avanzada para GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-3P
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UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
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el GT8N101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 8A, d´application: uso en aplicaciones de energía
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Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BUP302
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar
Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BUP302


SI N-IGBT transistor
similar to GT8N101, see note
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
el BUP302 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 12A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [más]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Tipo similar: BUP302
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-218AA
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑GN12015C, [más]
GN12015C,GT15N101,GT15Q101
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BUP302


SI N-IGBT transistor
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UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
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TJ 150°C
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Foto: -
Fuente: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [más]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Tipo similar: BUP302
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-218AA
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GN12015C,GT15N101,GT15Q101
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UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
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Foto: -
Fuente: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [más]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Tipo similar: BUP302
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-218AA
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Lista de tipos similares: ↑GN12015C, [más]
GN12015C,GT15N101,GT15Q101
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo
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